[发明专利]一种Al掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201510704525.8 | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN105220118A | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 周白杨;陈志坚;温翠莲;郑运相 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/58 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种Al掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。在本底真空度为6.5×10-4~1.0×10-5Pa,工作气体为高纯Ar气,工作气压为0.1~5.0Pa的条件下,采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射,一靶位放Mg2Si靶,电源选用射频电源;另一靶位放Al单质靶,电源选用直流电源;先镀Mg2Si层,接着镀Al层,再镀Mg2Si层;按此周期循环多次,从而得到具有叠层结构的薄膜,最后采用真空退火获得Al掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺具有工艺简单、成本低等优势,可满足大规模生产需要。 | ||
搜索关键词: | 一种 al 掺杂 mg sub si 热电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种Al掺杂Mg2Si基热电薄膜的制备方法,其特征在于:采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射,其中,一靶位放Mg2Si靶,电源选用射频电源;另一靶位放Al单质靶,电源选用直流电源;先镀Mg2Si层,接着镀Al层,再镀Mg2Si层,以此为一周期;按此周期循环多次,从而得到具有叠层结构的薄膜,最后采用真空退火获得Al掺杂Mg2Si基热电薄膜。
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