[发明专利]紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201510705120.6 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105244283A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;李育智;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/28;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法及薄膜晶体管，氧化物薄膜的制备方法包括如下步骤，将氧化物前驱体溶液通过非真空法在基底上形成氧化物前驱体薄膜,用紫外光通过具有图形的掩膜板对氧化物前驱体薄膜进行曝光，氧化物前驱体薄膜受紫外光照射的部分化学性质发生变化，未照射部分化学性质不变,再经显影液浸泡显影实现图形化；其中，前驱体溶液和显影液中所使用的溶剂均为水且不含其它有机添加剂。氧化物薄膜呈半导体、绝缘体或者导体性质。本发明能实现氧化物薄膜的有效图形化，工艺简单，对膜层无污染，图形化过程能有效减少膜层中所含杂质，且能实现低温制备高质量氧化物或复合材料薄膜。所制备薄膜晶体管性能良好，工艺简单，适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 图形 氧化物 薄膜 制备 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种紫外微图形化氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，将氧化物前驱体溶液通过非真空法在基底上形成氧化物前驱体薄膜,用紫外光通过具有图形的掩膜板对氧化物前驱体薄膜进行曝光，氧化物前驱体薄膜受紫外光照射的部分化学性质发生变化，未照射部分化学性质不变,再经显影液浸泡显影实现图形化；其中，前驱体溶液和显影液中所使用的溶剂均为水且不含任何有机添加剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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