[发明专利]一种半导体器件的制备方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件制备方法，在同一等离子体反应腔室内进行，包括向反应腔室中通入第一刻蚀工艺气体，调节反应腔室内的第一刻蚀工艺所需的工艺参数，对半导体器件衬底进行第一刻蚀工艺；判断第一刻蚀工艺已达到刻蚀终点，停止反应腔室内第一刻蚀工艺所需的工艺参数控制；向反应腔室中通入至少两种沉积工艺气体，调节反应腔室内的沉积工艺所需的工艺参数，在完成第一刻蚀工艺的半导体器件衬底表面进行等离子体沉积工艺；两种沉积工艺气体交替循环通入反应腔室，以得到致密的沉积薄膜；判断沉积工艺结束后，停止反应腔室内沉积工艺所需的工艺参数控制；对半导体器件衬底表面得到的沉积薄膜进行第二刻蚀工艺。

主权项

一种半导体器件制备方法，在一等离子体反应腔室内进行；所述反应腔室内具有承载半导体器件衬底的支撑台，其特征在于，所述半导体器件制备方法包括：步骤01：将一半导体器件衬底置于所述反应腔室中的所述支撑台上；步骤02：向所述反应腔室中通入第一刻蚀工艺气体，调节所述反应腔室内的第一刻蚀工艺所需的工艺参数，然后，对所述半导体器件衬底进行所述第一刻蚀工艺；步骤03：通过终点检测技术判断所述第一刻蚀工艺已达到刻蚀终点，停止所述反应腔室内所述第一刻蚀工艺所需的工艺参数控制；步骤04：向所述反应腔室中通入至少两种沉积工艺气体，调节所述反应腔室内的所述沉积工艺所需的工艺参数，然后，在完成所述第一刻蚀工艺的所述半导体器件衬底表面进行等离子体沉积工艺；所述两种沉积工艺气体交替循环通入所述反应腔室，从而在所述半导体器件衬底表面得到致密的沉积薄膜；步骤05：判断所述沉积工艺结束后，停止所述反应腔室内所述沉积工艺所需的工艺参数控制；步骤06：对所述半导体衬底表面得到的所述沉积薄膜进行第二刻蚀工艺。