[发明专利]一种纳米氮化硼增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法在审
申请号: | 201510706750.5 | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN105367075A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 王丹丹;王乐平;夏运明;涂聚友 | 申请(专利权)人: | 合肥龙多电子科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/582 | 分类号: | C04B35/582;C04B35/622 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 231600 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种纳米氮化硼增强的高导热氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料,该材料将氮化铝和碳化硅粉体混合使用,具备高的导热和环保性,以季铵盐离子液体、无水乙醇等制备的混合溶剂较之传统的有机溶剂对粉体的浸润性更佳,得到的复合醇基流延浆料气泡少,粉体间相容性佳,能形成稳定的互穿网络结构,浆料粘度大,流动性好,制得的坯体脱胶和烧结稳定性更佳,加入的纳米氮化硼导热、增强效果显著,再结合烧结助剂及其它原料,使得制备得到的基板片致密度高,影响热导率的不良杂质含量降低,导热散热性更佳,气孔率低,成品率高,可广泛的用做多种电路板基板。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 氮化 增强 导热 碳化硅 复合 电路板 板材 料及 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米氮化硼增强的高导热氮化铝‑碳化硅复合电路板基板材料,其特征在于,该材料由以下重量份的原料制成:氮化铝60‑70、碳化硅15‑20、季铵盐类离子液体10‑12、纳米氮化硼5‑8、碳酸锂0.5‑0.6、钛酸钡3‑5、无水乙醇适量、硅烷偶联剂kh550 1‑2、异己二醇4‑5、聚乙二醇1‑1.5、烧结助剂6‑8。
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