[发明专利]一种过模级联高频结构的双电子注太赫兹波辐射源在审
申请号: | 201510707076.2 | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN105355528A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 刘文鑫;张兆传;李科;赵超;郭鑫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | H01J25/44 | 分类号: | H01J25/44;H01J23/04;H01J23/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种双电子注太赫兹辐射源。该太赫兹辐射源采用过模级联折叠波导行波放大的高频结构,可以显著地缩短单段折叠波导慢波结构的长度,降低对磁场的要求。采用双电子注激励,可以提高输出功率,同时降低对阴极电流发射密度的要求。输入信号采用高次模式TE20模,可以增大慢波结构的尺寸,便于加工。在同一个太赫兹波辐射源中,既实现了高功率太赫兹波输出同时又利于设计和加工,从而有利于太赫兹波辐射源在抗干扰、有害物质检测、超宽带雷达远距离探测和高分辨率成像雷达等方面的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 级联 高频 结构 电子 赫兹 辐射源 | ||
【主权项】:
一种级联过模结构的双电子注太赫兹辐射源,其特征在于,包括:双电子注电子枪,包括:第一段双电子注电子枪和第二段双电子注电子枪,分别产生第一双电子注和第二双电子注;所述第一段双电子注电子枪包括:第一段第一阴极、第一段第二阴极、第一段电子注收集极,所述第一段电子注收集极正对所述第一段第一阴极和第一段第二阴极设置,形成第一段注‑波互作用区;所述第二段双电子注电子枪包括:第二段第一阴极、第二段第二阴极、第二段电子注收集极;所述第二段电子注收集极正对第二段第一阴极和第二阴极设置,形成第二段注‑波互作用区;其中,所述第一段注‑波互作用区和第二段注‑波互作用区并排设置;磁场产生部件,包括:第一磁场产生部件和第二磁场产生部件,设置于并排设置的第一段注‑波互作用区和第二段注‑波互作用区的两侧,用于产生垂直于电子注传输方向的磁场;级联高频结构,包括:第一段高频结构和第二段高频结构,分别位于所述第一段注‑波互作用区和第二段注‑波互作用区;输入的太赫兹信号在所述磁场产生部件产生的磁场作用下,在所述第一段高频结构内与所述第一双电子注相互作用,作用后的太赫兹信号输出至第二段高频结构;输入至第二段高频结构的太赫兹信号在所述磁场的作用下,与所述第二双电子注相互作用后,从第二段高频结构输出。
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