[发明专利]一种HIRF条件下复合材料舱室内场强计算方法在审
| 申请号： | 201510707239.7 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105184108A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 廖意;高伟;张元;石国昌;应小俊 | 申请（专利权）人： | 上海无线电设备研究所 |
| 主分类号： | G06F19/00 | 分类号： | G06F19/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张妍;张静洁 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HIRF条件下复合材料舱室内场强计算方法，该方法包含如下步骤：S1，计算复合材料在HIRF效应分析频段内的等效电磁参数；S2，建立复合材料舱室的三维几何模型，其模型材料的电磁特性由步骤S1中得到的等效电磁参数进行描述；S3，设置外部HIRF照射条件，对舱室模型进行仿真计算；S4，在舱室内建立近场观察点获取内部的场强值。本发明解决由于复合材料的非均匀特点带来的数值计算内存消耗大、计算慢甚至无法求解的问题，为HIRF条件下复合材料舱室的电磁危害评估与防护设计提供有效手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hirf 条件下 复合材料 舱室 场强 计算方法 | ||
【主权项】：
一种HIRF条件下复合材料舱室内场强计算方法，其特征在于，该方法包含如下步骤：S1，计算复合材料在HIRF效应分析频段内的等效电磁参数；S2，建立复合材料舱室的三维几何模型，其模型材料的电磁特性由步骤S1中得到的等效电磁参数进行描述；S3，设置外部HIRF照射条件，对舱室模型进行仿真计算；S4，在所述的舱室内建立近场观察点获取内部的场强值。
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