[发明专利]硅/碳复合物、硅合金/碳复合物及其制备方法在审
| 申请号： | 201510707460.2 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105552304A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | A·杜蒙特;P·吉奈特;大窪清吾 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/133 | 分类号： | H01M4/133;H01M4/134;H01M4/1393;H01M4/1395;H01G11/32;H01G11/86 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐国栋;林柏楠 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 提供制备可在导电碳材料表面上形成均匀含硅薄膜或含硅合金薄膜的硅/碳复合物或硅合金/碳复合物的方法，以及在用作用于形成电储存器件负极的负极材料时可实现大容量电储存器件并显示出优异的充电-放电循环特性的硅/碳复合物或硅合金/碳复合物。制备硅/碳复合物或硅合金/碳复合物的方法，其包括步骤(a)：通过使用含碳气体的化学气相沉积(CVD)而在导电碳材料表面上形成含碳薄膜；和步骤(b)：通过单独地使用含硅气体或者使用含硅气体和含碳气体的化学气相沉积(CVD)而在导电碳材料上形成含硅薄膜或含硅合金薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 复合物 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
制备硅/碳复合物的方法，其包括：步骤(a)：通过使用含碳气体的化学气相沉积(CVD)而在导电碳材料表面上形成含碳薄膜；和步骤(b)：通过使用含硅气体的化学气相沉积(CVD)而在导电碳材料上形成含硅薄膜。
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