[发明专利]相变化记忆体结构的制造方法在审
| 申请号： | 201510707571.3 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105336851A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陶义方 | 申请（专利权）人： | 宁波时代全芯科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 315195 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种相变化记忆体结构的制造方法，包含下列步骤。先形成一加热材料层覆盖一下电极，接着形成一牺牲层至加热材料层上，并图案化牺牲层以形成一图案覆盖在加热材料层上。形成一罩幕层共形地覆盖牺牲层与图案的侧壁及未被此图案覆盖的部分加热材料层，并非等向性地移除部分罩幕层，以自罩幕层形成一墙形罩幕层于图案的侧壁。之后移除牺牲层，并以墙形罩幕层作为遮罩，移除部分加热材料层以形成一墙形加热器于下电极上。此方法能制造具有极小特征尺寸的墙形加热器，而不需繁复的对准机制。借此增加电流的聚集密度，并提高相变化层的加热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变化记忆体结构的制造方法，其特征在于，包含：形成一加热材料层覆盖一下电极；形成一牺牲层至该加热材料层上；图案化该牺牲层以形成一图案覆盖在该加热材料层上；形成一罩幕层共形地覆盖该牺牲层与该图案的侧壁及未被该图案覆盖的部分该加热材料层；非等向性地移除部分该罩幕层，以自该罩幕层形成一墙形罩幕层于该图案的侧壁；移除该牺牲层；以及以该墙形罩幕层作为遮罩，移除部分该加热材料层以形成一墙形加热器于该下电极上。
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