[发明专利]一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的低温沉积工艺

摘要

本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的低温沉积工艺，其中光吸收层铜锑硒采用多源共蒸发沉积工艺制备，用束源炉蒸发各组成元素，能精确控制各源的蒸发速率至“埃每秒”量级，尤其能降低沉积速率、微调铜和锑的比例，由于铜锑硒熔点较低，且降低沉积速率可促进薄膜有序外延生长、提高结晶性，经优化薄膜沉积工艺。本发明在衬底温度低于300度即可制备出结晶性良好、符合化学计量比的铜锑硒薄膜。本发明制备方法相对于传统的热蒸发法降低了沉积温度，节约了生产成本，并为制备柔性衬底太阳能电池打下基础。

主权项

一种铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的低温沉积工艺，采用共蒸法，其特征在于包括如下步骤：将镀钼玻璃衬底置于多源热蒸发镀膜系统的衬底上并抽真空至5×10^‑4Pa，将铜、锑和硒的束源炉温度分别升温至1100‑1200℃、500‑600℃以及200‑300℃；将衬底温度升至250‑290℃并保持恒定，打开衬底挡板和锑、硒束源炉挡板，向镀钼玻璃衬底表面先蒸镀锑和硒20‑30分钟；然后打开铜束源炉挡板，同时蒸镀铜、锑、硒80‑90分钟；最后关闭铜、锑束源炉挡板，再继续蒸镀硒20‑30分钟；蒸镀结束后将衬底温度降至室温得到铜锑硒薄膜。