[发明专利]量子阱器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201510707751.1 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106611780A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种量子阱器件及其形成方法，能够形成具有高迁移率的量子阱器件，并且形成的量子阱器件具有较高的击穿电压，从而获得具有较好的性能及可靠性的量子阱器件。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种量子阱器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供图形化的衬底；在图形化的所述衬底表面形成缓冲层；对所述缓冲层进行刻蚀处理，形成鱼鳍状结构；在所述缓冲层及鱼鳍状结构表面上依次沉积量子阱层、阻挡层、覆盖层及介质层；在所述介质层表面形成金属层；对所述金属层和介质层进行刻蚀，形成金属栅极和栅介质层；在所述金属栅极和栅介质层的两侧形成侧墙；依次刻蚀所述覆盖层、阻挡层及量子阱层形成源漏凹陷区，所述源漏凹陷区暴露出所述缓冲层并延伸至所述侧墙的下方；在所述源漏凹陷区中形成掺杂的源漏区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510707751.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种碳化硅半导体器件的终端结构
- 下一篇：量子阱器件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
