[发明专利]一种MOS可变电容的仿真模型建立方法和仿真方法

摘要

本发明提供一种MOS可变电容的仿真模型建立方法和仿真方法，建立满足以下方程式的初始仿真模型c＝(A×tanh(‑v(g,b)×B+C)+D)×(tanh(‑v(g,b)×E+F)+G)×(H×lr×wr×mr×nf)×(exp(‑v(g,b)×I+J)+K)对上述公式中的参数A～K进行调试，直至使利用模型公式计算结果得到的电容对电压特性曲线与实际测量得到的电容对电压特性曲线相匹配，得到参数A～K的相应具体值，代入初始仿真模型的公式中，建立得到MOS可变电容的最终仿真模型，使用最终仿真模型进行仿真模拟。本发明不仅适用于所有类型的MOS可变电容，并且从数学分析的角度出发，通过不停地增加、减少参数并调试参数的值从而对仿真模型公式优化，直至MOS可变电容模型在RF射频应用中出现的电容对电压的二阶导数跳变显著减少，同时MOS可变电容的电容对电压特性曲线的仿真精度显著提高。

主权项

1.一种MOS可变电容的仿真模型建立方法，其特征在于，包括：步骤一：建立初始仿真模型，所述初始仿真模型为c＝(A×tanh(‑v(g,b)×B+C)+D)×(tanh(‑v(g,b)×E+F)+G)×(H×lr×wr×mr×nf)×(exp(‑v(g,b)×I+J)+K)其中，c为所述初始仿真模型计算后得到的电容，v(g,b)为所述初始仿真模型中栅极和衬底之间的电压，A为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中影响电容对电压斜率的参数，B为影响所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容中积累区的电容幅度的参数，E为影响所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容中反型区的电容幅度的参数，C为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中用于在电压趋于0V时电容沿着电压轴方向作调整但不影响其它区域的电容的参数，F为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中用于电容沿着电压轴方向作调整而不影响其它区域的电容的参数，D、G、H、I、J、K分别为所述初始仿真模型的电容对电压特性曲线中影响电容在电容轴所在的方向上移动的第一参数、第二参数、第三参数、第四参数、第五参数、第六参数，lr、wr、mr、nf分别代表所述初始仿真模型所对应的MOS可变电容的栅极沟道的长度、宽度、个数以及栅极的个数；步骤二：根据MOS可变电容的类型、尺寸和电压工作区域对所述初始仿真模型中的参数A～K进行调试，直至利用所述初始仿真模型计算结果得到的MOS可变电容的电容对电压特性曲线与实际测量得到的电容对电压特性曲线相匹配，并将匹配时得到的参数A～K代入所述初始仿真模型中以得到MOS可变电容的最终仿真模型。