[发明专利]一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201510708604.6 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105271360B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 高远浩;王培培;李品将;张校飞;雷岩;郑直 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | C01G3/12 | 分类号： | C01G3/12 |
| 代理公司： | 北京恒创益佳知识产权代理事务所(普通合伙)11556 | 代理人： | 柴淑芳 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料及其制备方法和应用，属于纳米材料技术领域；本方法采用乙醇溶剂热法，通过共沉淀结晶技术，在温和条件下利用硫粉、氯化亚铜和醋酸锌之间的化学反应，通过调控无机盐的用量比例实现掺杂原子在晶格中的均衡分布，最终获得Zn掺杂的超晶格纳米花。制备的Zn掺杂的CuS超晶格纳米花具有结晶完整性高、单分散、花的形貌完美等优点，其强烈的光电子响应特性适合作为光电子器件的响应材料。该制备方法操作简便，使用原料成本低廉，无需使用任何化学添加剂，无任何毒害副产物，环境友好，便于工业化生产获得高附加值的产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zn 掺杂 cus 晶格 纳米 花光 电子 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种Zn掺杂的CuS超晶格纳米花光电子材料，其特征在于：Zn掺杂的CuS超晶格纳米花，其元素组成为Zn0.49Cu0.51S，属于六方晶相，具有单分散的花的微形貌和内在的超晶格结构。
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