[发明专利]一种可实现相结构和成分移植的羟基磷灰石涂层制备方法在审
申请号: | 201510709566.6 | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN105297000A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 纪岗昌;陈枭;白小波;王洪涛;董增祥;宋杰光 | 申请(专利权)人: | 九江学院 |
主分类号: | C23C24/04 | 分类号: | C23C24/04;A61L27/32;A61L27/04 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 332005 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种可实现相结构和成分移植的羟基磷灰石涂层的冷喷制备方法,采用粒度为20-45μm微米的球形羟基磷灰石粉末,以氮气为加速气体和送粉气,加速气体压力为1.8-2.0MPa,加速气体的温度为300-600°C,送粉气体的压力为2.0-2.2MPa,送粉气温度为50-200°C,在基体上沉积一层羟基磷灰石涂层。本发明的优点:通过控制冷喷涂工艺参数,可获得无分解的具有良好生物活性和稳定性的羟基磷灰石涂层。 | ||
搜索关键词: | 一种 实现 结构 成分 移植 羟基 磷灰石 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种可实现相结构和成分移植的羟基磷灰石涂层的冷喷制备方法,采用粒度为20‑45μm微米的球形羟基磷灰石粉末,以氮气为加速气体和送粉气,加速气体压力为1.8‑2.0MPa,加速气体的温度为300‑600°C,送粉气体的压力为2.0‑2.2MPa,送粉气温度为50‑200°C,在基体上沉积一层羟基磷灰石涂层。
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