[发明专利]光电转换元件的基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201510710897.1 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106057963A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 陈升晖;曾少泽;曹昭阳;张正阳 | 申请（专利权）人： | 欣欣天然气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/028;H01L31/0312 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光电转换元件的基板的制造方法包括下列步骤。将单晶硅晶圆置入机台的腔体内，其中腔体内有锗靶材或硅锗靶材。接着，进行物理气相沉积工艺，以于单晶硅晶圆上形成单晶锗薄膜或单晶硅锗薄膜。此制造方法可降低光电转换元件的基板的生产成本。此外，本发明另提出一种光电转换元件的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件的基板的制造方法，其特征在于，包括：将单晶硅晶圆置入机台的腔体内，其中该腔体内有锗靶材或硅锗靶材；以及进行物理气相沉积工艺，以于该单晶硅晶圆上形成单晶锗薄膜或单晶硅锗薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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