[发明专利]成膜方法和成膜装置有效
| 申请号： | 201510711369.8 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106256927B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 石田将崇;林达也;菅原卓哉;我妻伸哉;宫内充祐;姜友松;长江亦周 | 申请（专利权）人： | 株式会社新柯隆 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供成膜方法和成膜装置。本发明的方法是下述成膜方法：通过将施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定位置，成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此使溅射粒子到达基板的表面并堆积，并进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其中，在形成于具有排气系统的真空容器内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后通过使基板保持器旋转而使基板移动至被配置成与成膜区域在空间上分离的反应区域内，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击中间薄膜的等离子体再处理，形成薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，将被施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定的位置，所述成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此，使溅射粒子到达所述基板的表面进行堆积，并且进行使溅射等离子体中的离子撞击所述基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其特征在于，/n采用构成为能够与直流电源和高频电源的一方或双方连接的电力供给源，使来自该电力供给源的电力分别供给至多个基板电极，从而对多个基板施加电压，由此，在形成于具有排气系统的单一的真空槽内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后，使所述基板移动至反应区域内，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击所述中间薄膜的等离子体再处理，形成所述薄膜，所述反应区域被配置成与成膜区域在空间上分离，所述多个基板电极设置于各个基板的背面位置，而不与将多个基板保持于外周面的筒状的基板保持器电连接。/n
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