[发明专利]一种带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510712168.X | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105390532A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 梁红伟;刘建勋;柳阳;夏晓川;杜国同;蒋建华;闫晓密 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学;江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜及其制备方法，本发明带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜包括自下而上依次设置的衬底、低温GaN成核层、GaN缓冲层、退火重构的InGaN插入层和高阻GaN层。本发明是通过引入InGaN插入层并高温退火，在不降低GaN生长压力并保证薄膜较高晶体质量的情况下，引入适量的刃位错，而少量增加螺位错，利用刃位错诱导反应室中的碳受主并入GaN薄膜，进而补偿背景电子，实现高阻GaN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 ingan 插入 非故意 掺杂 gan 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底、低温GaN成核层、GaN缓冲层、退火重构的InGaN插入层和高阻GaN层。
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