[发明专利]一种GaN基增强型功率电子器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510712242.8 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105355555A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 黄森;刘新宇;王鑫华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基增强型功率电子器件及其制备方法，GaN基增强型功率电子器件包括：衬底；形成于衬底之上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；以及形成于薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构之上的栅极、源极和漏极；其中，在栅极与源极以及栅极与漏极之间的access区域形成有AlN钝化层，利用具有极化特性的该AlN钝化层恢复该AlN钝化层下薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结沟道中的二维电子气，从而降低器件的导通电阻，同时抑制器件的高压电流坍塌。利用本发明，提高了GaN基增强型器件阈值电压的可控度和一致性，解决了GaN基增强型器件的工艺重复性，有助于提高GaN基增强型电子器件的成品率，推动GaN基功率电子器件的产业化进程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 增强 功率 电子器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基增强型功率电子器件，其特征在于，包括：衬底；形成于衬底之上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；以及形成于薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构之上的栅极、源极和漏极；其中，在栅极与源极以及栅极与漏极之间的接入区域形成有AlN钝化层，利用具有极化特性的该AlN钝化层恢复该AlN钝化层下薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结沟道中的二维电子气，从而降低器件的导通电阻，同时抑制器件的高压电流坍塌。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510712242.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：轴承套圈输送机构
- 下一篇：全自动三叉轴万向节外圆磨床装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
