[发明专利]一种高精准过压保护电路有效
申请号: | 201510712488.5 | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN105278608B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 谭在超;罗寅;丁国华;张海滨 | 申请(专利权)人: | 苏州锴威特半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/569 | 分类号: | G05F1/569 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 吕书桁 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种高精准过压保护电路,包括高精度基准电流产生电路、高精度过压判决时间产生电路和过压保护电阻调节自动控制电路,基准电压分别连接高精度基准电流产生电路和高精度过压判决时间产生电路的正输入端,在高精度基准电流产生电路中设有零温漂电阻,所述高精度基准电流产生电路通过内部调节电阻控制端与过压保护电阻调节自动控制电路相连,过压保护电阻调节自动控制电路上设有内外部调节电阻切换控制单元,基准时钟信号连接高精度过压判决时间产生电路的输入端,高精度过压判决时间产生电路的输出即为过压保护输出端。本电路提高了过压保护的判决时间精度,也提高了过压保护的一致性,因能自动调整过压保护功能,提高了电路集成度。 | ||
搜索关键词: | 一种 精准 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种高精准过压保护电路,其特征在于:包括高精度基准电流产生电路、高精度过压判决时间产生电路和过压保护电阻调节自动控制电路,基准电压分别连接所述高精度基准电流产生电路和高精度过压判决时间产生电路的输入端,在高精度基准电流产生电路中设有零温漂电阻,高精度基准电流产生电路通过电流镜像单元输出两路镜像高精度基准电流,其中一路镜像高精度基准电流I1接高精度过压判决时间产生电路的输入端,另一路镜像高精度基准电流I2接过压保护电阻调节自动控制电路的输入端,所述高精度基准电流产生电路还通过内部调节电阻控制端与过压保护电阻调节自动控制电路相连,基准时钟信号连接高精度过压判决时间产生电路的输入端,高精度过压判决时间产生电路的输出端即为过压保护输出端;所述高精度过压判决时间产生电路上设有带参考电压输入的迟滞比较器、充电电容、电容充电电路和电流源镜像电路,基准时钟信号连接电容充电电路的第一输入端,镜像高精度基准电流I1连接电容充电电路的第二输入端,充电电容连接电容充电电路的输出端,充电电容还连接迟滞比较器的负输入端,基准电压连接迟滞比较器的参考电压输入端,即迟滞比较器的正输入端,所述迟滞比较器是采用若干个N型场效应晶体管和若干个P型场效应晶体管搭建而成,其中包括第一N型场效应晶体管、第二N型场效应晶体管、第三N型场效应晶体管、第四N型场效应晶体管、第一P型场效应晶体管、第二P型场效应晶体管、第三P型场效应晶体管和第四P型场效应晶体管,所述第一N型场效应晶体管的栅极引出作为迟滞比较器的负输入端,所述第二N型场效应晶体管的栅极引出作为迟滞比较器的正输入端,所述第三N型场效应晶体管的源极接地,第三N型场效应晶体管的漏极引出作为迟滞比较器的输出端,第一N型场效应晶体管的漏极连接第一P型场效应晶体管的漏极,第一P型场效应晶体管、第二P型场效应晶体管、第三P型场效应晶体管、第四P型场效应晶体管的源极连接电源,第一P型场效应晶体管和第二P型场效应晶体管的栅极互连,第二P型场效应晶体管的漏极连接第二N型场效应晶体管的漏极,第二P型场效应晶体管的栅极还连接第一N型场效应晶体管的漏极,第三P型场效应晶体管的栅极连接第二P型场效应晶体管的栅极,第三P型场效应晶体管的漏极连接第四N型场效应晶体管的漏极,第四N型场效应晶体管的源极连接第二N型场效应晶体管的漏极,第四N型场效应晶体管的栅极连接第四P型场效应晶体管的漏极,第四P型场效应晶体管的栅极连接第四N型场效应晶体管的源极,第四P型场效应晶体管的漏极连接第三N型场效应晶体管的漏极,所述电流源镜像电路采用第五N型场效应晶体管和第六N型场效应晶体管共栅极连接搭建而成,第五N型场效应晶体管和第六N型场效应晶体管的源极接地,第五N型场效应晶体管的漏极连接电流源,第五N型场效应晶体管的漏极还连接第六N型场效应晶体管的栅极,第六N型场效应晶体管的漏极连接第一N型场效应晶体管和第二N型场效应晶体管的源极,第六N型场效应晶体管的栅极连接第三N型场效应晶体管的栅极,迟滞比较器的输出端为过压保护输出端;过压保护电阻调节自动控制电路上设有内外部调节电阻切换控制单元,并且过压保护电阻调节自动控制电路上还设有外部调节电阻检测端、上电复位端、充电电容、参考电流源、反相器、D触发器和内外部调节电阻切换控制端ctrl1与ctrl2,外部调节电阻检测端连接在共栅极连接的P型场效应晶体管和N型场效应晶体管的栅极上,P型场效应晶体管的源极为镜像高精度基准电流I2的输入端,N型场效应晶体管的源极接地,P型场效应晶体管和N型场效应晶体管的漏极共联后依次连接充电电容、参考电流源和反相器的输入端,反相器的输出端连接D触发器的输入端,P型场效应晶体管和N型场效应晶体管的共栅极连接D触发器的时钟脉冲端,上电复位端依次通过第一非门和第一与非门连接D触发器的复位端;内外部调节电阻切换控制端ctrl1与ctrl2连接内外部调节电阻切换控制单元的输入端,D触发器的反向输出端连接内外部调节电阻切换控制单元的输入端,内外部调节电阻切换控制单元的一个输出端连接第一与非门的输入端,内外部调节电阻切换控制单元的剩余输出端连接内部调节电阻控制端。
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