[发明专利]形成三栅极鳍式场效晶体管装置的方法及该生成的装置

摘要

本发明涉及一种形成三栅极鳍式场效晶体管装置的方法及该生成的装置。本发明，除了其它方法之外，在所公开的其中一个说明的方法包含，形成位在半导体衬底的上表面上方及由该半导体衬底的上表面而垂直地间隔开的鳍状物、该鳍状物具有上表面、下表面及第一与第二侧表面，其中该鳍状物的轴线于该鳍状物的高度方向上为朝向实质上平行于该衬底的该上表面，并且其中该鳍状物的第一侧表面接触第一绝缘材料、形成围绕该鳍状物的该上表面、该第二侧表面及该下表面的栅极结构，以及形成传导耦接至该栅极结构的栅极接触结构。

主权项

1.一种形成三栅极鳍式场效晶体管装置的方法，包括：形成位在半导体衬底的上表面上方及由该半导体衬底的上表面垂直间隔开的鳍状物，该鳍状物具有上表面、相对于该上表面的下表面、第一侧表面与相对于该第一侧表面的第二侧表面，其中该鳍状物的轴线于该鳍状物的高度方向上是朝向平行于该半导体衬底的该上表面，并且其中该鳍状物的该第一侧表面的整个接触第一绝缘材料及由该第一绝缘材料完全覆盖，该第一绝缘材料形成于该半导体衬底上方及侧向邻接于该鳍状物的该第一侧表面；形成栅极结构于围绕该鳍状物，其中该栅极结构覆盖该鳍状物的该上表面、该第二侧表面及该下表面的至少一部分，但未覆盖该鳍状物的该第一侧表面的任何部分；以及形成传导耦接至该栅极结构的栅极接触结构。