[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：将包含至少锡的焊料材料布置在半导体元件和设置有镍层和铜层的接合构件之间，使得焊料材料接触铜层，镍层设置在接合构件的表面上，并且铜层设置在镍层的表面的至少一部分上；以及使用铜层和焊料材料中的锡来熔化以及凝固焊料材料以在镍层的表面上形成Cu₆Sn₅。本发明还提供一种半导体装置。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：将包含至少锡的焊料材料布置在半导体元件与接合构件之间，所述接合构件设置有镍层和铜层，使得所述焊料材料与所述铜层接触，所述镍层设置在所述接合构件的表面上，并且所述铜层设置在所述镍层的表面的至少一部分上；以及使用所述焊料材料中的锡和所述铜层来熔化以及凝固所述焊料材料以在所述镍层的所述表面上形成Cu6Sn5，其中，所述焊料材料中包含的铜的重量和与所述焊料材料接触的区域中的铜的重量之和相对于所述焊料材料的重量和与所述焊料材料接触的所述区域中的铜的重量之和为2.0wt％或者更高，以及7.6wt％或者更低。