[发明专利]SiC基板的研磨方法有效
| 申请号： | 201510713069.3 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105583696B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 小岛胜义;佐藤武志 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;H01L21/304;C09G1/02;C09K3/14 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉;黄纶伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供SiC基板的研磨方法，是能够抑制晶格的紊乱的使用研磨液的SiC基板的研磨方法。在SiC基板(11)的研磨中使用的研磨液构成为含有高锰酸盐、pH调节剂以及水。并且，在SiC基板的研磨方法中，供给研磨液并且使研磨垫(18)与SiC基板接触来研磨SiC基板，其包含如下的工序：第1研磨工序，使用含有高锰酸盐、具有氧化力的无机盐类以及水的第1研磨液来研磨SiC基板；以及第2研磨工序，在该第1研磨工序之后，使用含有高锰酸盐、pH调节剂以及水的第2研磨液对SiC基板进行精研磨。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 sic 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC基板的研磨方法，对含有磨粒的研磨垫或者不含有磨粒的研磨垫供给研磨液并且使该研磨垫与SiC基板接触来研磨SiC基板，其特征在于，该SiC基板的研磨方法包含如下的工序：/n第1研磨工序，使用含有高锰酸盐、具有氧化力的无机盐类以及水的第1研磨液来研磨SiC基板；以及/n第2研磨工序，在该第1研磨工序之后，使用第2研磨液对SiC基板进行精研磨，该第2研磨液含有0.1质量％～5.0质量％的高锰酸盐、0.01质量％～2.0质量％的作为将pH值调节到酸性侧的试剂的pH调节剂以及水，且所述高锰酸盐相对于所述pH调节剂的摩尔比为0.1～2.5。/n
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