[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201510713330.X | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN105702681B | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 金刚铉;梁基燮;崔乘烈;朴璟镇 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱胜;穆云丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。一种OLED显示装置包括基板,该基板包括被布置成彼此相邻的多个第一子像素和多个第二子像素。第一子像素包括第一发光区域和第一非发光区域。第二子像素包括第二发光区域和第二非发光区域。第一发光区域和第二发光区域被布置在第一非发光区域与第二非发光区域之间。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,其包括被布置成彼此相邻的多个第一子像素和多个第二子像素,其中,所述多个第一子像素中的每个包括第一发光区域和第一非发光区域,并且所述多个第二子像素中的每个包括第二发光区域和第二非发光区域,所述第一发光区域和所述第二发光区域布置在所述第一非发光区域与所述第二非发光区域之间,一个第一发光区域被布置在所述第二发光区域的一侧边缘旁,而另一第一发光区域被布置在所述第二发光区域的另一侧边缘旁,一个第一非发光区域介于两个不同的第一非发光区域之间,以及一个第二非发光区域介于两个不同的第二非发光区域之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的