[发明专利]一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法有效
| 申请号： | 201510713443.X | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105390374A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 桑雪岗;袁晓;柳翠;张小明;梁海 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学;浙江启鑫新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/228;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，包括硅片预清洗；硅片制绒；硅片氧化；清洗甩干；液态硼扩散源旋涂烘干等六个步骤。与现有技术对比，本发明制得的N型晶硅太阳电池的方块电阻均匀性更高，更适合产业化的生产，在太阳能领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 型晶硅 双面 太阳电池 硼旋涂 方法 | ||
【主权项】：
一种改善N型晶硅双面太阳电池硼旋涂方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)对N型单晶硅片进行化学清洗，然后用去离子水清洗；(2)对硅片进行制绒处理；(3)制绒处理后经混酸及去离子水进行清洗；(4)利用盐酸、双氧水氧化清洗，再采用去离子水清洗后甩干；(5)对甩干后的硅片首先喷涂一层预湿液，使硅片表面同硼源浸润，每片喷涂预湿液的量为0.5～3.0ml；(6)然后滴加液态硼源旋涂，每片硅片所需硼源为0.2～1.5ml，旋涂转速为1000～5000r/min，旋转时间为2～15s；(7)对旋涂硼源硅片进行烘干；(8)烘干后硅片进行热扩散形成PN结，再经过后续工序加工得到N型双面太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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