[发明专利]一种太赫兹双波段带阻式滤波器谐振单元及制造方法在审
| 申请号： | 201510713514.6 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105322253A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 赵振宇;宋志强 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | H01P1/203 | 分类号： | H01P1/203;H01P7/08;H01P11/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 陆林辉 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太赫兹双波段带阻式滤波器谐振单元，由半绝缘砷化镓(SI-GaAs)衬底和衬底上的金属层构成，半绝缘砷化镓(SI-GaAs)衬底的厚度为625μm，金属层由依次形成在衬底上的5nm厚的钛金属层和120nm厚的金属层构成，在金属层中形成有谐振结构阵列，所述谐振结构的几何结构由一对开口方向呈镜像对称分布的”凹”字形开口谐振环(SRR)和金属线谐振条(wire)组成；所述”凹”字形开口谐振环(SRR)以金属线谐振条(wire)所在直线为对称轴，所述”凹”字形开口谐振环(SRR)以开口方向呈镜像对称分布。还提供上述滤波器谐振单元的制造方法。通过本发明加工工艺制造的谐振单元，能够对1.01THz和1.38THz两个中心频率实现-25dB的抑制，获得双波段带阻式滤波器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 波段 带阻式 滤波器 谐振 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太赫兹双波段带阻式滤波器谐振单元，由半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)衬底和衬底上的金属层构成，其特征在于：半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)衬底的厚度为625μm，金属层由依次形成在衬底上的5nm厚的钛金属层和120nm厚的金金属层构成，在金属层中形成有谐振结构阵列，所述谐振结构的几何结构由一对开口方向呈镜像对称分布的”凹”字形开口谐振环(SRR)和金属线谐振条(wire)组成；所述”凹”字形开口谐振环(SRR)以金属线谐振条(wire)所在直线为对称轴，所述”凹”字形开口谐振环(SRR)以开口方向呈镜像对称分布。
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