[发明专利]一种多晶铸锭用坩埚免加热氮化硅涂层的处理方法

摘要

本发明涉及一种多晶坩埚免加热氮化硅涂层的处理方法，其处理方法如下：在坩埚底部和四壁刷涂一层氮化硅涂层，随后坩埚放置在独立干燥的房间中自然干燥24~36h，再在干燥好的坩埚表面喷涂若干圈氮化硅涂层，使刷涂过程中氮化硅涂层未能完全覆盖的区域完全覆盖即可；本发明无需加热，降低了能耗和对于氮化硅粉的技术要求，节约了制造成本，粘锅裂纹率相较现有技术明显降低。

主权项

一种多晶坩埚免加热氮化硅涂层的处理方法，其特征为，其处理方法如下：（1）在坩埚底部和四壁刷涂一层氮化硅涂层，使刷涂后坩埚表面无明显可视裸露的石英存在，所述氮化硅涂层由氮化硅粉、硅溶胶和去离子水均匀混合而成，所述氮化硅粉、硅溶胶与去离子水的重量比为1:（0.5~0.6）:（3.5~4.0），所述氮化硅粉的用量为550~600g/G6坩埚之间，所述坩埚底部和四壁氮化硅涂层的重量比为1:（1~1.2）；（2）将经步骤（1）涂好氮化硅涂层的坩埚放置在独立干燥的房间中自然干燥24~36h，得干燥好的的坩埚，所述独立干燥的房间为独立密闭的、且带有除湿装置的房间，使房间内部湿度小于等于30RH；（3）在干燥好的的坩埚表面喷涂若干圈氮化硅涂层，所述氮化硅涂层与步骤（1）中一致，氮化硅涂层中氮化硅粉的用量为150~200g/G6坩埚之间，使坩埚表面完全覆盖氮化硅涂层即可。