[发明专利]一种自支撑PEDOT-PSS薄膜及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201510715701.8 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105405977A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 周印华;李在房;葛茹;覃飞;刘铁峰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;H01L51/00;H01G11/48;H01G11/86 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自支撑PEDOT-PSS薄膜，包括质量比为3:7～15:2的PEDOT以及PSS，所述PEDOT-PSS薄膜的厚度为1μm～50μm，方块电阻为0.10Ω/sq～120Ω/sq，电导率为210S/cm～1827S/cm。本发明还公开了该PEDOT-PSS薄膜的制备方法以及在光电子器件的电极中的应用。本发明制备所得的PEDOT-PSS薄膜具有良好的自支撑性能以及导电性能，在光电子器件上具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 pedot pss 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种自支撑PEDOT‑PSS薄膜，其特征在于，包括质量比为3:7～15:2的PEDOT以及PSS，所述PEDOT‑PSS薄膜的厚度为1μm～50μm，方块电阻为0.10Ω/sq～120Ω/sq，电导率为210S/cm～1827S/cm。
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