[发明专利]一种碳化硅半导体器件的终端结构

摘要

本发明涉及一种碳化硅半导体器件的终端结构，包括以下特征终端结构可有多于一个浓度斜率掺杂区，以终端区有三个不同浓度斜率为例终端区包括负责低温，中间温度和高温的终端结构掺杂浓度，然后根据掺杂剂不同温度的离化率把中温的和高温的浓度分布折合为低温的，这样低温的浓度分布最高，中温的次之，高温的最低，接着把低温的浓度分布紧接着有源区，中温的折合浓度分布接在低温之后，高温的接在中温之后，浓度分布接合点是它们相同浓度之处，把重叠浓度的两者之一拿掉，最后形成有三个不同斜率的掺杂区浓度分布的终端区。

主权项

一种碳化硅半导体器件的终端结构，包括以下特征：1.终端区有两个不同的掺杂区；2.每一掺杂区的浓度都是线性横变的，都有一个浓度分布斜率；3.靠近有源区的掺杂区的浓度分布斜率比远离有源区的掺杂浓度斜率大；4.把两个不同的掺杂区接合在一起，较高浓度分布的紧接着有源区，较低浓度分布的接在较高的之后，接合点是在两者的相同浓度之处，然后把重叠浓度的两者之一拿掉，最终的浓度分布有二个不同的斜率。