[发明专利]基于硅衬底的HEMT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510716956.6 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105206664B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;陈兴;江忠永;陈向东 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于硅衬底的HEMT器件及其制造方法，在硅衬底上依次形成GaN外延层、第一AlxGa(1‑x)N层、第二AlzGa(1‑z)N层，采用AlGaN/AlGaN异质结的外延结构，利用AlGaN合金层相较于GaN更好的抗击穿特性，提高了基于硅衬底的HEMT器件整体的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅衬底的HEMT器件，其特征在于，包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的GaN外延层、第一AlxGa(1‑x)N层以及第二AlzGa(1‑z)N层；形成于所述第一AlxGa(1‑x)N层与第二AlzGa(1‑z)N层之间的第三AlyGa(1‑y)N层；形成于所述第二AlzGa(1‑z)N层上的栅极、源极和漏极；其中，y<x，0.07≤x<0.1，0.05≤y<0.1，0.2≤z≤0.3。
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