[发明专利]一种基于硅衬底的HEMT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510717576.4 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105244377B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈兴;张昊翔;江忠永;陈向东 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于硅衬底的HEMT器件及其制造方法，先形成第一GaN外延层，然后在第一GaN外延层上形成图形化的介质层，再在第一GaN外延层和图形化的介质层上形成第二GaN外延层，通过在GaN生长中进行图形化的处理，形成生长窗口，利用ELOG生长改善机理来提高GaN材料的晶体结晶质量，进而改善基于硅衬底的HEMT器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 衬底 hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅衬底的HEMT器件，其特征在于，包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的第一GaN外延层；形成于所述第一GaN外延层上的图形化的介质层；覆盖所述第一GaN外延层和图形化的介质层的第二GaN外延层；形成于所述第二GaN外延层上的AlGaN势垒功能层；以及形成于所述AlGaN势垒功能层上的栅极、源极和漏极，所述栅极嵌入所述AlGaN势垒功能层中。
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