[发明专利]石墨烯层及其形成方法以及器件及制造该器件的方法在审
| 申请号： | 201510717694.5 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105575769A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 金孝媛;李载昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/16;H01L31/028 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了石墨烯层、形成该石墨烯层的方法、包括该石墨烯层的器件以及制造该器件的方法。形成石墨烯层的方法可以包括在第一温度下使用第一源气体形成第一石墨烯以及在第二温度下使用第二源气体形成第二石墨烯。第一石墨烯和第二石墨烯中的其中之一可以是P型石墨烯，第一石墨烯和第二石墨烯中的另一个可以是N型石墨烯。第一石墨烯和第二石墨烯共同形成P-N结。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 及其 形成 方法 以及 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种形成石墨烯层的方法，所述方法包括：在第一温度使用第一源气体在底层的第一区域上形成第一石墨烯；以及在第二温度使用第二源气体在所述底层的邻近所述第一区域的第二区域上形成第二石墨烯，其中所述第一石墨烯和所述第二石墨烯的其中之一是P型石墨烯，所述第一石墨烯和所述第二石墨烯的另一个是N型石墨烯，并且所述第一石墨烯和所述第二石墨烯共同形成P‑N结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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