[发明专利]一种提升取光效率的GaN-LED芯片在审
| 申请号： | 201510717801.4 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105206729A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;李俊贤;魏振东;刘英策;李小平;黄新茂;陈凯轩;张永;林志伟;姜伟;卓祥景;方天足 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/20 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种提升取光效率的GaN-LED芯片，涉及LED芯片的生产技术领域，包括设置在外延片上的芯片区域和切割道区域，其特征在于在所述切割道区域设置点阵排列的若干锥形台，各锥形台的底部连接在外延片的N-GaN层上，各锥形台具有能够将外延片的多量子阱层发出的侧向光反射至芯片正面的侧面。本发明通过在LED芯片切割道设计的锥形台，增加LED芯片侧出光的反射渠道，以此来增加LED芯片取光效率，使正向光的出光量增加，从而提升LED芯片亮度。本发明芯片区域的设计适用于现有的正装、倒装或垂直结构等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 效率 gan led 芯片 | ||
【主权项】：
一种提升取光效率的GaN‑LED芯片，包括设置在外延片上的芯片区域和切割道区域，其特征在于在所述切割道区域设置点阵排列的若干锥形台，各锥形台的底部连接在外延片的N‑GaN层上，各锥形台具有能够将外延片的多量子阱层发出的侧向光反射至芯片正面的侧面。
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