[发明专利]用于室温工作的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于室温工作的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法，包括清洗陶瓷片基底，在陶瓷片基底上制备铂的叉指电极，制备溶剂热反应溶液，溶剂热法制备氧化钨纳米棒结构气敏传感器，清洗溶剂热反应后氧化铝基底，氧化钨纳米棒结构气敏传感器元件的热处理的步骤。本发明提供了一种可低成本制备氧化钨纳米片结构气敏传感器的方法。溶剂热法操作较为简单，所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。提供了一种可室温探测极低浓度(可达0.1ppm)氮氧化物气体，具有高灵敏度、快速响应/恢复的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法，具有重要的实践和研究意义。

主权项

一种用于室温工作的氧化钨纳米片结构气敏传感器的制备方法，其特征在于，具有以下步骤：(1)清洗陶瓷片基底采用陶瓷片作为基底，将陶瓷片基底依次放入丙酮溶剂、无水乙醇中超声振荡15‑20min，除去表面有机物杂质；随后将陶瓷片基底放入去离子水中清洗，冲洗完成后放入无水乙醇中，并置于红外烘箱中烘干；(2)在陶瓷片基底上制备Pt的叉指电极将陶瓷片基底置于高真空对靶磁控溅射设备的真空室中，在氧化铝基底表面形成叉指铂电极；(3)制备溶剂热反应溶液首先配置0.04M‑0.06M的六氯化钨溶液，将六氯化钨溶于65ml乙二醇中，磁力搅拌至全部溶解，形成黄色透明的六氯化钨溶液；(4)溶剂热法制备氧化钨纳米片结构气敏传感器将步骤(2)中镀有铂电极的氧化铝基底置于内衬为聚四氟乙烯的不锈钢水热反应釜中，同时将步骤(3)制备的六氯化钨溶液也转移到反应釜中，密封，然后将反应釜置于恒温干燥箱中，在反应温度180‑210℃下在氧化铝基底表面合成氧化钨纳米片结构，反应时间为6‑10h，反应完毕后，将反应釜自然冷却到室温；(5)清洗溶剂热反应后氧化铝基底将步骤(4)中溶剂热反应后的氧化铝基底，反复经去离子水和无水乙醇浸泡清洗，然后在60‑80℃的真空干燥箱中干燥8‑10h；(6)氧化钨纳米片结构气敏传感器元件的热处理将步骤(4)所制备的氧化钨纳米片结构气敏传感器元件置于马弗炉中进行热处理。