[发明专利]一种光纤预制棒及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201510718658.0 申请日: 2015-10-29
公开(公告)号: CN106630652A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 申云华;王毅强 申请(专利权)人: 上海亨通光电科技有限公司
主分类号: C03C13/04 分类号: C03C13/04;C03B37/018
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司31225 代理人: 林君如
地址: 200436 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种光纤预制棒及其制备方法和应用,所述的光纤预制棒通过以下方法制备得到采用MCVD工艺,依次在石英基管内沉积外包层和应力区层,然后刻触应力区沉积层留下部分呈线对称,然后再沉积内包层,最后沉积棒芯层,然后烧结收缩,得到光纤预制棒,制得的光纤预制棒的棒芯呈正圆形,主要用于拉制圆保偏光纤和宽带光纤波片。与现有技术相比,本发明制得光纤预制棒的棒芯呈正圆形,拉制得到圆保偏光纤的纤芯模场的圆度大于90%。
搜索关键词: 一种 光纤 预制 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
一种光纤预制棒的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)往石英基管内通入SiCl4和O2,加热反应,并沉积得到SiO2外包层;(2)外包层沉积好后,通入SiCl4、BBr3和O2,加热进行反应,在外包层上沉积SiO2/B2O3应力区层;(3)通入刻蚀气体,以石英基管圆心为对称点,刻蚀除去应力区层对称两边的部分应力区,使得剩余部分的应力区层的对称两边互不连接,并替换刻蚀除去的应力区,沉积与外包层组分相同的填充层;(4)再次通入刻蚀气体,刻蚀除去沉积在应力区层上的填充层;(5)刻蚀完成后,通入SiCl4、SF6和O2,加热反应,沉积得到内包层;(6)内包层沉积完成后,通入SiCl4、GeCl4和O2,加热进行反应,沉积得到棒芯层;(7)沉积完成后,加热石英基管对各层进行烧结,即收缩得到光纤预制棒。
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