[发明专利]基于三态反相器的物理不可克隆函数电路结构及其应用有效
| 申请号： | 201510720177.3 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105303127B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 刘伟强;崔益军;王成华;张磊 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | G06F21/72 | 分类号： | G06F21/72 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔;徐晓鹭 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于三态反相器的物理不可克隆函数电路结构及其应用，该电路包括两个相同的交叉耦合三态反相器矩阵，其利用两个三态反相器矩阵制造工艺偏差导致的竞争冒险来产生随机响应值。本发明提供的新型的低成本的物理不可克隆函数电路结构，适用于可编程逻辑器件和专用数字集成电路，功耗低，安全性高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 三态 反相器 物理 不可 克隆 函数 电路 结构 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种物理不可克隆函数电路结构在数字集成电路中的应用方法，其特征在于，该电路结构包括两个相同的交叉耦合三态反相器矩阵，其利用两个三态反相器矩阵制造工艺偏差导致的竞争冒险来产生随机响应值；每个矩阵中均包含n个平行的三态反相器单元，n为正整数，两个矩阵的使能端分别为激励组I和激励组II；所述的三态反相器单元由两个PMOS和两个NMOS组成，其中，PM1的源极与电源电压相连，漏极与PM2的源极相连；PM2的漏极与NM1的漏极相连，并与电路的输出端口相接；NM2的漏极和源极分别与NM1的源极以及地端相连；PM1和NM2的栅极相连，并与数据输入端口相接；NM1和PM2的栅极分别连接使能信号与其取反的值；将所述电路结构运用到数字集成电路中，形成多组基于三态反相器的物理不可克隆函数电路，其激励信号共用激励组I和激励组II的输入信号，当没有任何激励信号时，电路输出为高阻态；当激励信号中包含一个或多个使能信号时，所述三态反相器单元形成一个高效的静态随机存储器物理不可克隆函数。
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