[发明专利]银基键合丝的制备方法有效
申请号: | 201510723930.4 | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN105390404B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 赵碎孟;周钢 | 申请(专利权)人: | 广东佳博电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;C22C5/06;C22C5/08;C22F1/14;C22C1/02 |
代理公司: | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人: | 张文 |
地址: | 510530 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种银基键合丝的制备方法,该银基键合丝是首先在纯度高于99.999%的Ag中添加2.0%‑4.0%Pd、3.0%‑5.0%Ce和4.0%‑6.0%Cu混合为合金基材,并通过对合金基材进行熔炼、拉丝、清洗、退火、绕线、包装等步骤制成,在熔炼过程中不需要加氮气保护,采用添加高温分子筛和反复抽真空进行除氧,同时通过多次反复熔炼使合金金属熔液完全熔合均匀,制得的银基键合丝一致性好,性能稳定,延伸率和拉伸强度高,确保了焊接质量和器件的可靠性和稳定性,并使整个生产工艺流畅,提高了生产效率,同时其还具有良好的抗氧化,导电性,成本适中,可广泛应用于IC、LED等电子封装领域。 | ||
搜索关键词: | 银基键合丝 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.银基键合丝的制备方法,其特征在于 :所述银基键合丝的制备方法包括以下步骤 :步骤(一)在纯度高于 99.999% 的 Ag 中添加 2.0%‑4.0% Pd、3.0%‑5.0% Ce 和 4.0%‑6.0% Cu混合为合金基材 ;步骤(二)使用金相砂纸对连铸炉中的坩埚、结晶器以及牵引棒进行抛光后,将步骤(一)中的合金金属材料加入安装有高温分子筛的连铸炉内,然后抽真空升温,使合金基材在真空度为 1.0×10‑2 MPa‑2×10‑3 MPa,温度为 600℃ ‑700℃的连铸炉内搅拌 30min‑1h 进行精炼,并采用水温温控设备控制循环冷却水的温度 ;步骤(三)升温到 1100℃ ‑1200℃,持续搅拌 10‑20 min,将完全熔化好的合金金属熔液注入连铸炉内的储液池保温,以 4‑8cm/min 的连铸速度完成对合金金属熔液的连铸,熔铸得到合金银棒材 ;步骤(四)将步骤(三)中的合金银棒其投入连铸炉中,依次重复步骤(二)和步骤(三),制得直径为8‑10 mm合金银棒材 ;步骤(五)将上述合金银棒材粗拔至直径为0.5mm的金属细丝,然后进行拉丝,即得到拉制好的银基键合丝,拉丝温度为 32‑36℃,拉丝环境为 1000 级或 10000 级,将前述金属细丝加工至直径15μm‑50μm,拉制速度控制在 500 m/min,速度变化控制在 10%以内 ;步骤(六)采用超声波将上述拉制好的银基键合丝进行表面清洗后,氮气保护下对银丝进行退火处理,热处理温度为 400℃ ‑420℃,处理时间为 1.0s‑2.5s,退火时张力大小为2.0g‑2.8g ;步骤(七)绕线,使用专用绕线机,将键合银丝定长绕制在两英寸直径的线轴上,绕线速度控制在 50m/min‑100m/min,线间距约为 5 mm,分卷长度为 50 米至 1000 米 ;步骤(八)包装,采用普通包装,常温保存。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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