[发明专利]一种碲化镉太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201510724289.6 | 申请日: | 2015-10-29 |
公开(公告)号: | CN105405900B | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 范智勇;何进 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究院 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/073;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人: | 孙菊梅 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种碲化镉太阳能电池,在衬底表面沉积有氧化钛薄膜缓冲层。本发明的碲化镉太阳能电池含有的致密的氧化钛(TiO2)薄膜作为缓冲层解决了分流的问题并且提高了碲化镉/硫化镉光伏器件的良率和可重复性,有效提高硫化镉/碲化镉太阳能电池器件性能。本发明还公开了一种碲化镉太阳能电池的制备方法,通过化学浴沉积(CBD)和电化学沉积(ED)获得硫化镉和碲化镉,在没有任何背接触电阻优化条件下,通过FTO/CdS/CdTe/Au结构获得6.1%转化效率。 | ||
搜索关键词: | 碲化镉太阳能电池 缓冲层 硫化镉 碲化镉 制备 致密 电化学沉积 化学浴沉积 氧化钛薄膜 衬底表面 可重复性 硫化镉光 器件性能 优化条件 转化效率 背接触 氧化钛 电阻 良率 薄膜 沉积 分流 | ||
【主权项】:
1.一种碲化镉太阳能电池的制备方法,所述碲化镉太阳能电池在衬底层表面沉积有氧化钛薄膜缓冲层,所述氧化钛薄膜厚度为20纳米到100纳米,所述电池依次含有衬底层、氧化钛薄膜缓冲层、硫化镉薄膜层和碲化镉薄膜层以及背电极,所述背电极是在碲化镉薄膜层表面沉积50纳米厚的金圆点阵列作为背电极,其特征在于包含如下步骤:(1)通过直流磁控溅射在衬底层沉积氧化钛薄膜层,气流为4标准大气压立方分米每分钟氧气混合25标准大气压立方分米每分钟氩气;腔体压力为0.6帕;靶材为钛金属;(2)在氧化钛薄膜层表面利用化学浴法沉积硫化镉薄膜层,化学浴沉积溶液为醋酸铬、硫脲、醋酸铵和氢氧化铵中的任意一种或几种;(3)在硫化镉薄膜层表面利用电化学沉积法沉积碲化镉薄膜层,采用三电极系统沉积,其中样品、碳棒和Ag/AgCl电极分别作为工作电极,对电极和参比电极;(4)使用氯化铬对碲化镉薄膜层进行处理并制作背电极,碲化镉薄膜层沉积之后,使用去离子水对得到的样品进行清洗,然后将样品浸泡在过饱和氯化铬甲醇溶液中,然后使用甲醇对样品冲洗、再吹干,样品在氩气和压缩空气氛围下退火,最后,通过热蒸镀沉积金圆点阵列作为背电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学深圳研究院,未经北京大学深圳研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510724289.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的