[发明专利]一种碲化镉太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510724289.6 申请日: 2015-10-29
公开(公告)号: CN105405900B 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 范智勇;何进 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究院
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/073;H01L31/18
代理公司: 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 代理人: 孙菊梅
地址: 518057 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种碲化镉太阳能电池,在衬底表面沉积有氧化钛薄膜缓冲层。本发明的碲化镉太阳能电池含有的致密的氧化钛(TiO2)薄膜作为缓冲层解决了分流的问题并且提高了碲化镉/硫化镉光伏器件的良率和可重复性,有效提高硫化镉/碲化镉太阳能电池器件性能。本发明还公开了一种碲化镉太阳能电池的制备方法,通过化学浴沉积(CBD)和电化学沉积(ED)获得硫化镉和碲化镉,在没有任何背接触电阻优化条件下,通过FTO/CdS/CdTe/Au结构获得6.1%转化效率。
搜索关键词: 碲化镉太阳能电池 缓冲层 硫化镉 碲化镉 制备 致密 电化学沉积 化学浴沉积 氧化钛薄膜 衬底表面 可重复性 硫化镉光 器件性能 优化条件 转化效率 背接触 氧化钛 电阻 良率 薄膜 沉积 分流
【主权项】:
1.一种碲化镉太阳能电池的制备方法,所述碲化镉太阳能电池在衬底层表面沉积有氧化钛薄膜缓冲层,所述氧化钛薄膜厚度为20纳米到100纳米,所述电池依次含有衬底层、氧化钛薄膜缓冲层、硫化镉薄膜层和碲化镉薄膜层以及背电极,所述背电极是在碲化镉薄膜层表面沉积50纳米厚的金圆点阵列作为背电极,其特征在于包含如下步骤:(1)通过直流磁控溅射在衬底层沉积氧化钛薄膜层,气流为4标准大气压立方分米每分钟氧气混合25标准大气压立方分米每分钟氩气;腔体压力为0.6帕;靶材为钛金属;(2)在氧化钛薄膜层表面利用化学浴法沉积硫化镉薄膜层,化学浴沉积溶液为醋酸铬、硫脲、醋酸铵和氢氧化铵中的任意一种或几种;(3)在硫化镉薄膜层表面利用电化学沉积法沉积碲化镉薄膜层,采用三电极系统沉积,其中样品、碳棒和Ag/AgCl电极分别作为工作电极,对电极和参比电极;(4)使用氯化铬对碲化镉薄膜层进行处理并制作背电极,碲化镉薄膜层沉积之后,使用去离子水对得到的样品进行清洗,然后将样品浸泡在过饱和氯化铬甲醇溶液中,然后使用甲醇对样品冲洗、再吹干,样品在氩气和压缩空气氛围下退火,最后,通过热蒸镀沉积金圆点阵列作为背电极。
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