[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法

摘要

本发明公开一种非挥发性存储器及其制造方法。非挥发性存储器包括基底、埋入式电荷存储晶体管以及选择晶体管。在基底中具有开口。埋入式电荷存储晶体管设置于基底中。埋入式电荷存储晶体管包括电荷存储结构与导体层。电荷存储结构设置于开口中的基底上。导体层设置于电荷存储结构上，且填满开口。选择晶体管设置于埋入式电荷存储晶体管一侧的基底上，其中选择晶体管包括金属栅极结构。所述非挥发性存储器具有较佳的电荷存储能力。

主权项

一种非挥发性存储器，包括：基底，其中在所述基底中具有开口；埋入式电荷存储晶体管，设置于所述基底中，其中所述埋入式电荷存储晶体管包括：电荷存储结构，设置于所述开口中的所述基底上；以及导体层，设置于所述电荷存储结构上，且填满所述开口；以及选择晶体管，设置于所述埋入式电荷存储晶体管一侧的所述基底上，其中所述选择晶体管包括金属栅极结构。