[发明专利]单体、聚合物、有机层组成物、有机层及形成图案的方法

摘要

本发明提供一种同时确保耐蚀刻性和平坦化特征的单体、聚合物、有机层组成物、有机层及形成图案的方法，其中，本发明公开由化学式1表示的单体、由化学式2表示的聚合物、包含用于有机层的化合物(即单体、聚合物或其组合)的有机层组成物、由有机层组成物制造的有机层以及通过固化有机层组成物获得的有机层。化学式1和化学式2与具体实施方式中所定义的相同。

主权项

1.一种由化学式1表示的单体：[化学式1]其中，在化学式1中A¹、A²、A³、A⁴以及A⁵各自独立地是群组1中列出的经取代或未经取代的基团：[群组1]其中，在群组1中，Z¹是单键、经取代或未经取代的C1到C20亚烷基、经取代或未经取代的C3到C20亚环烷基、经取代或未经取代的C6到C20亚芳基、经取代或未经取代的C2到C20亚杂芳基、经取代或未经取代的C2到C20亚烯基、经取代或未经取代的C2到C20亚炔基、C＝O、NR^a、氧、硫或其组合，其中R^a是氢、经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C6到C20芳基、经取代或未经取代的C2到C20杂芳基或其组合，Z³到Z¹⁸独立地是C＝O、NR^d、氧、硫、CR^bR^c或其组合，其中R^b以及R^c各自独立地是氢、经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C6到C20芳基、经取代或未经取代的C2到C20杂芳基、卤素原子、含卤素的基团或其组合，其中R^d是氢、经取代或未经取代的C1到C10烷基、经取代或未经取代的C6到C20芳基、经取代或未经取代的C2到C20杂芳基、含卤素的基团或其组合，X¹、X²、X³以及X⁴各自独立地是羟基、经取代或未经取代的氨基、卤素原子、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基、经取代或未经取代的C3到C30环烯基、经取代或未经取代的C1到C20杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂芳基、或其组合，C¹、C²、C³、C⁴、D¹、D²、D³、D⁴、E¹、E²、E³以及E⁴各自独立地是氢原子、羟基、经取代或未经取代的氨基、卤素原子、经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、经取代或未经取代的C1到C30烷氧基、经取代或未经取代的C3到C30环烯基、经取代或未经取代的C1到C20杂烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2到C30杂芳基、或其组合，以及a、b以及c各自独立地是0或1，其中所述C¹、D¹以及E¹中的至少一个是经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基或其组合，并且所述C²、D²以及E²中的至少一个是经取代或未经取代的C1到C30烷基、经取代或未经取代的C6到C30芳基或其组合。