[发明专利]一种对软介质基板进行刻蚀形成电路的方法有效
| 申请号： | 201510725402.2 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105390440B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 曹乾涛;路波;王斌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 朱玉建 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于软介质电路的刻蚀方法，其包括步骤：s1提供一软介质基板，该软介质基板表面由内向外依次覆盖有铜导体层和金导体层，在金导体层上形成抗蚀剂图形；s2使用碘‑碘化钾溶液刻蚀金导体层，直至刻蚀到金导体层与铜导体层界面为止；s3使用碘化钾水溶液对金导体层与铜导体层界面浸泡处理；s4使用碘‑碘化钾溶液和碘化钾水溶液对金导体层与铜导体层界面进行交替处理，直至软介质基板上抗蚀剂未保护区域表面铜导体层全部露出为止；s5刻蚀铜导体层，去除抗蚀剂。本发明方法使用碘化钾水溶液可以快速有效地溶解碘‑碘化钾溶液腐蚀金导体层与铜导体层界面处时生成的白色难溶沉淀物，高精度精细地处理软介质基板上的铜金电路和铜金电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 铜导体层 导体层 软介质 基板 刻蚀 碘化钾水溶液 碘化钾溶液 电路 抗蚀剂 铜金 抗蚀剂图形 难溶沉淀物 保护区域 方法使用 基板表面 交替处理 由内向外 电极层 界面处 刻蚀金 有效地 去除 浸泡 溶解 腐蚀 精细 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种对软介质基板进行刻蚀形成电路的方法，其特征在于，包括如下步骤：s1提供一软介质基板，该软介质基板表面由内向外依次覆盖有铜导体层和金导体层，在金导体层上形成抗蚀剂图形；s2使用碘-碘化钾溶液刻蚀金导体层，直至刻蚀到金导体层与铜导体层界面为止；s3使用碘化钾水溶液对金导体层与铜导体层界面浸泡处理；s4使用碘-碘化钾溶液和碘化钾水溶液对金导体层与铜导体层界面进行交替处理，直至软介质基板上抗蚀剂未保护区域表面铜导体层全部露出为止；s5刻蚀铜导体层，去除抗蚀剂；其中，所述软介质基板为聚四氟乙烯基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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