[发明专利]肖特基二极管用外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510725976.X | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105355650A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 李仕强;王东盛;苗操;李亦衡;魏鸿源;严文胜;张葶葶;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;C23C16/44;H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基二极管用外延片及其制备方法，该外延片位错少、晶体质量更好。该肖特基二极管用外延片，包括层叠的衬底及成核层，所述成核层为多层且依次层叠。所述成核层的层数为2~6层。所述成核层均为GaN层或AlN层。所述外延片还包括非掺杂层、重掺杂层及轻掺杂层，所述衬底、成核层、非掺杂层、重掺杂层、轻掺杂层依次层叠。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极 管用 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管用外延片，包括层叠的衬底及成核层，其特征在于：所述成核层为多层且依次层叠。
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