[发明专利]一种猝灭上转换发光的方法有效
| 申请号： | 201510726266.9 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN105219379A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 秦伟平;吐尔逊·艾迪力比克 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C09K11/61 | 分类号： | C09K11/61 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王淑秋;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种猝灭上转换发光的方法，属于发光技术领域。其是在无机Yb3+离子荧光团簇材料中掺入其它金属阳离子，破坏材料中的荧光团簇结构，从而造成团簇荧光的结构破坏性猝灭；无机Yb3+离子荧光团簇材料的基质为碱土金属氟化物；以全部金属阳离子的摩尔浓度和为100％计算，三价镧系镱离子Yb3+的掺杂浓度为0.05mol％～10mol％，其它金属阳离子的掺杂浓度为0.1mol％～14mol％。掺入的阳离子可以是没有荧光特性的稀土离子或其它种类的离子。利用这种荧光猝灭方法，可以有效地调节合作发光的强度，也可以有效地调节由于合作敏化产生的上转换发光强度。因此，该猝灭方法具有很好的使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 猝灭上 转换 发光 方法 | ||
【主权项】：
一种猝灭上转换发光的方法，其特征在于：在无机Yb3+离子荧光团簇材料中掺入除Yb3+之外的其它金属阳离子，破坏材料中的荧光团簇结构，从而造成团簇荧光的结构破坏性猝灭；无机Yb3+离子荧光团簇材料的基质为碱土金属氟化物；以全部金属阳离子的摩尔浓度和为100％计算，三价镧系镱离子Yb3+的掺杂浓度为0.05mol％～10mol％，除Yb3+之外的其它金属阳离子的掺杂浓度为0.1mol％～14mol％。
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