[发明专利]交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺有效
| 申请号： | 201510726633.5 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105470275B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 肖荣福;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺，包括：形成底电极；在所述底电极顶部形成磁记忆单元阵列，其中包括制备多层薄膜形成串联的磁性隧道结和导电层1/氧化物/导电层2三层结构，所述导电层1/氧化物/导电层2三层结构的氧化物是金属氧化物、半导体材料的氧化物，所述导电层1/氧化物/导电层2三层结构的导电层1和/或导电层2是金属、金属合金、金属氮化物或金属硼化物；在所述磁记忆单元阵列顶部形成顶电极。本发明极大的简化了MRAM的生产工艺、降低了成本，并且可以极大地提高存储芯片的集成度，特别是对于pSTT‑MRAM产品。 | ||
| 搜索关键词： | 交叉 矩阵 磁性 随机 存储器 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存储器制造工艺方法，其特征在于，包括：形成底电极；在所述底电极顶部形成磁记忆单元阵列，其中包括制备多层薄膜形成串联的磁性隧道结和导电层1/氧化物/导电层2三层结构，所述导电层1/氧化物/导电层2三层结构的导电层1和导电层2分别包括与所述导电层1/氧化物/导电层2三层结构的氧化物相邻的氧阻止层或吸氧层，以阻挡氧离子向所述导电层1和导电层2内扩散，所述导电层1与氧化物之间的氧阻止层为Pt/Ti、Pt/Mg或Pt/Ta，氧化物与所述导电层2之间的氧阻止层为Ti/Pt、Mg/Pt或Ta/Pt，所述氧化物是双层结构，包括一层完全氧化和一层没有完全氧化，在所述磁记忆单元阵列顶部形成顶电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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