[发明专利]芯片抗辐射能力的评测方法、装置及芯片有效
| 申请号： | 201510727525.X | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653091B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 胡骏;王琳;刘慧 | 申请（专利权）人： | 龙芯中科技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;黄健 |
| 地址： | 100095 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片抗辐射能力的评测方法、装置及芯片。其中，芯片内部集成MBIST电路，该方法包括：通过向MBIST电路发送测试执行信号，触发MBIST电路执行读写操作；确定MBIST电路执行写操作完成，触发粒子束对芯片进行辐射；在辐射结束后，确定MBIST电路开始执行读操作，在MBIST电路执行读操作的过程中，获取芯片辐射后的存储数据，根据存储数据与预设数据中的不同的数据位，获取芯片的抗辐射能力。本发明提供的评测方法、装置及芯片方式灵活且电路结构简单，节约了评测开销。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 辐射 能力 评测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种芯片抗辐射能力的评测方法，其特征在于，芯片内部集成有存储器内建自测试MBIST电路，所述方法包括：通过向所述MBIST电路发送测试执行信号，触发所述MBIST电路执行读写操作；确定所述MBIST电路执行写操作完成，触发粒子束对所述芯片进行辐射；在辐射结束后，确定所述MBIST电路开始执行读操作，在所述MBIST电路执行读操作的过程中，获取所述芯片辐射后的存储数据，根据所述存储数据与预设数据中的不同的数据位，获取所述芯片的抗辐射能力。
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