[发明专利]一种LED外延结构及制作方法有效
| 申请号： | 201510727669.5 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN105226149B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张洁;冯向旭;杜成孝;刘建明;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED外延结构及制作方法，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、超晶格、多量子阱层以及第二导电类型半导体层，其特征在于：在所述超晶格中至少插入一层颗粒介质层，所述颗粒介质层用于在所述超晶格中形成不同宽度和深度的V型坑，多量子阱层填充所述V型坑并位于超晶格顶表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、超晶格、多量子阱层以及第二导电类型半导体层，其特征在于：在所述超晶格中插入超过一层颗粒介质层，所述颗粒介质层位于超晶格层中的不同高度位置，用于在所述超晶格中形成不同宽度和深度的V型坑，多量子阱层填充所述V型坑并位于超晶格顶表面上。
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