[发明专利]一种提高稀土离子共掺上转换纳米材料发光强度的方法有效
| 申请号： | 201510727909.1 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105238405B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘永升;刘大玖;卓著;吴明燕;洪茂椿;陈学元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C09K11/85 | 分类号： | C09K11/85 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高稀土离子共掺上转换纳米材料发光强度方法。通过热分解分段定向外延生长制备方法，将上转换稀土离子分别掺杂到无机纳米材料的不同部位，并在不同部位之间生长一定厚度的纯的基质材料以增加稀土离子之间的距离，减小不同稀土离子之间因能量传递和交叉弛豫过程而引起的能量损耗，从而大大提高稀土离子共掺无机纳米材料的上转换发光强度和量子产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 稀土 离子 共掺上 转换 纳米 材料 发光强度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高稀土离子共掺上转换纳米材料发光强度方法，其特征在于，采用热分解分段定向外延生长法，将各种上转换稀土离子分别掺入到无机纳米材料的不同部位，并在不同部位之间生长一定厚度的纯基质材料以增加共掺稀土离子之间的距离，减小稀土离子之间因能量传递和交叉弛豫过程而引起的能量损耗，从而提高稀土离子共掺无机纳米材料的上转换发光强度和量子产率。
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