[发明专利]HEMT外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510727928.4 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105390541A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王科;王东盛;苗操;李亦衡;魏鸿源;严文胜;张葶葶;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种HEMT外延结构及其制备方法，HEMT外延结构，包括依次层叠的衬底、缓冲层、非掺杂或掺杂高阻层、非掺杂高迁移率层及GaN/AlN超晶格栅极层，所述GaN/AlN超晶格栅极层的周期为4~15。所述GaN/AlN超晶格栅极层的总厚度为6~30nm，且AlN和GaN的厚度比为1:1~1:9。通过超晶格结构独特的应力逐层缓解释放的特性，可以有效减少AlGaN/GaN界面因应力过大而引起的大量表面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种HEMT外延结构，其特征在于：包括依次层叠的衬底、缓冲层、非掺杂或掺杂高阻层、非掺杂高迁移率层及GaN/AlN超晶格栅极层，所述GaN/AlN超晶格栅极层的周期为4~15。
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