[发明专利]运动传感器的形成方法有效
| 申请号： | 201510728575.X | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105366635B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 徐爱斌;王俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种运动传感器的形成方法，包括提供MEMS晶圆，MEMS晶圆具有第一表面和与第一表面对置的第二表面，第一表面键合有封盖晶圆，第二表面具有第一键合层；提供CMOS晶圆，CMOS晶圆具有器件区和引脚区，CMOS晶圆上具有多个分立的电极层；在CMOS晶圆上形成钝化层，所述钝化层暴露器件区中部分电极层的表面用于电学连接CMOS晶圆和MEMS晶圆，且暴露引脚区的电极层表面；在CMOS晶圆暴露出的电极层、器件区的钝化层上形成第二键合层；将第一键合层和第二键合层键合后，采用深硅刻蚀工艺形成贯穿封盖晶圆和MEMS晶圆厚度的通孔，所述通孔暴露引脚区的电极层表面。所述方法提高了运动传感器的良率且简化了工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 运动 传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种运动传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供MEMS晶圆，所述MEMS晶圆具有第一表面和与所述第一表面对置的第二表面，所述MEMS晶圆的第一表面键合有封盖晶圆，所述MEMS晶圆的第二表面具有第一键合层；提供CMOS晶圆，所述CMOS晶圆具有器件区和引脚区，所述CMOS晶圆上具有多个分立的电极层；在所述CMOS晶圆上形成钝化层，所述钝化层暴露出所述器件区中部分电极层的表面用于电学连接CMOS晶圆和MEMS晶圆，且所述钝化层暴露出所述引脚区的电极层表面；在所述CMOS晶圆暴露出的电极层、器件区的钝化层上形成第二键合层，所述第二键合层暴露出CMOS晶圆的引脚区的电极层的表面；将所述第一键合层和所述第二键合层键合后，采用深硅刻蚀工艺形成贯穿所述封盖晶圆和MEMS晶圆厚度的通孔，所述通孔暴露出CMOS晶圆的引脚区的电极层的表面。
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