[发明专利]肖特基增强的偏置电路有效
| 申请号： | 201510728929.0 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN106559047B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | D.S.里普利 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42;H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 胡琪 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 这里公开的实施例涉及使用肖特基二极管的偏置电路。典型地，偏置电路将包括用于为功率放大器产生偏置电压或偏置电流的许多晶体管。许多无线装置包括功率放大器以促进处理用于发送的信号和/或接收的信号。通过用使用肖特基二极管的设计替代偏置电路设计，偏置电路所需要的电池电压可以被降低使得能够使用较低的电压电源。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 增强 偏置 电路 | ||
【主权项】：
一种偏置电路，包括：第一肖特基二极管，包含阴极和阳极，所述阴极与功率放大器通信；场效应晶体管(FET)，具有与所述第一肖特基二极管的阳极通信的源极；以及双极结型晶体管，与所述FET通信，所述双极结型晶体管包含与所述FET的栅极通信的集电极和与所述FET的源极通信的基极.
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