[发明专利]一种LED外延结构及制作方法在审
| 申请号： | 201510729267.9 | 申请日： | 2015-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN105355741A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 张洁;朱学亮;杜成孝;刘建明;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED外延结构及制作方法，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、超晶格、具有V型坑的多量子阱层、空穴注入层以及第二导电类型半导体层，其特征在于：所述空穴注入层呈双六角锥，填满所述V型坑并嵌入第二导电类型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、超晶格、具有V型坑的多量子阱层、空穴注入层以及第二导电类型半导体层，其特征在于：所述空穴注入层呈双六角锥，填满所述V型坑并嵌入第二导电类型半导体层。
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