[发明专利]器件特性老化自适应控制方法及装置有效
| 申请号： | 201510729731.4 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN106656162B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 吴玉平;陈岚;张学连 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 11252 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人： | 党丽;江怀勤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种器件特性老化自适应控制方法，包括：实时获取集成电路当前的器件特性老化状态表征值；根据所述器件特性老化状态表征值确定校准控制信号值；利用所述校准控制信号值控制电压调节器输出校准的电源电压，并将所述校准的电源电压作为所述集成电路当前的工作电压。有效解决MOSFET器件老化造成电路性能退化的问题，延长集成电路芯片的工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 特性 老化 自适应 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种器件特性老化自适应控制方法，其特征在于，包括：/n实时获取集成电路当前的器件特性老化状态表征值；/n根据所述器件特性老化状态表征值确定校准控制信号值；/n利用所述校准控制信号值控制电压调节器输出校准的电源电压，并将所述校准的电源电压作为所述集成电路当前的工作电压。/n
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